ZXMP10A13FTA
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.6448
99,075
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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ZXMP10A13FTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.62

1+:¥0.667

32438

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ZXMP10A13FTA
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.6448

1+:¥0.69368

27293

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ZXMP10A13FTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.682

6000+:¥0.7363

3000+:¥0.775

800+:¥1.085

100+:¥1.55

20+:¥2.4025

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-
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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.682

1500+:¥0.7337

200+:¥0.8426

50+:¥1.0967

27317

-
3天-15天
ZXMP10A13FTA
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.7197

3000+:¥0.7634

500+:¥0.8704

150+:¥1.0339

50+:¥1.165

5+:¥1.4707

11065

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 141 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3