HYG110P04LQ2C2
HUAYI(华羿微)
PDFN-8(5.9x5.2)
¥0.7864
10,245
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):55A,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
HYG110P04LQ2C2
HUAYI(华羿微)
PDFN-8(5.9x5.2)

5000+:¥0.7864

2500+:¥0.8365

500+:¥0.9629

150+:¥1.1504

50+:¥1.3007

5+:¥1.6514

5715

-
立即发货
HYG110P04LQ2C2
HUAYI(华羿微)
PDFN5x6-8L

500+:¥0.95

150+:¥1.14

50+:¥1.29

5+:¥1.65

4530

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 55A
导通电阻(RDS(on)) 13mΩ@4.5V