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BSC014N04LSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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BSC014N04LS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8FL
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1000+:￥1.56 500+:￥1.66 100+:￥2.1 30+:￥2.48 10+:￥2.78 1+:￥3.48 |
4582 |
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立创商城
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BSC014N04LS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥1.64 1+:￥1.72 |
2531 |
22+
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圣禾堂
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BSC014N04LS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥1.7056 1+:￥1.7888 |
1522 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSC014N04LS
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥3.487 10000+:￥3.7644 5000+:￥3.9625 1000+:￥5.5475 300+:￥7.925 10+:￥12.8979 |
5100 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8FL
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500+:￥4.85 100+:￥5.35 20+:￥6.17 1+:￥8.17 |
5000 |
20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 61 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |