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DMN2058UW-7
DIODES(美台)
SC-70，SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMN2058UW-7
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Diodes(美台)
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SOT-323-3
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3000+:￥0.24752 1+:￥0.27976 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN2058UW-7
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DIODES(美台)
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SOT-323
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3000+:￥0.2596 1200+:￥0.3042 600+:￥0.3073 100+:￥0.3946 10+:￥0.4944 |
2786 |
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华秋商城
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DMN2058UW-7
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DIODES(美台)
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SOT-323
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6000+:￥0.2603 3000+:￥0.2762 500+:￥0.3269 150+:￥0.3667 50+:￥0.4198 5+:￥0.5259 |
12580 |
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立创商城
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DMN2058UW-7
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美台(DIODES)
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SOT-323-3
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30000+:￥0.2618 6000+:￥0.2826 3000+:￥0.2975 800+:￥0.4165 200+:￥0.595 10+:￥0.9684 |
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油柑网
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DMN2058UW-7
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Diodes(达尔)
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SOT-323
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3000+:￥0.3094 1500+:￥0.3497 200+:￥0.403 90+:￥0.6227 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 7.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 281 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |