AO3434A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
SOT-23
¥0.3517
54,825
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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AO3434A
AOS
SOT-23

3000+:¥0.3517

500+:¥0.3949

150+:¥0.4489

50+:¥0.5209

5+:¥0.6649

3090

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AO3434A
AOS(美国万代)
SOT-23-3L

3000+:¥0.38125

1000+:¥0.38833

500+:¥0.39541

100+:¥0.40214

10+:¥0.4071

721

21+
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AO3434A
AOS
SOT-23

500+:¥0.393

150+:¥0.447

50+:¥0.519

5+:¥0.652

50995

21+
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AOS
SOT-23-3L

3000+:¥0.35

1+:¥0.374

12

5年内
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AO3434A
AOS
SOT-23-3L

30000+:¥0.385

6000+:¥0.4156

3000+:¥0.4375

800+:¥0.6125

200+:¥0.875

10+:¥1.4241

12

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 245 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式