咨询/建议
STN1HNK60
ST(意法半导体)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STN1HNK60
|
ST(意法半导体)
|
SOT-223
|
4000+:￥0.678 1+:￥0.731 |
47459 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
STN1HNK60
|
ST(意法半导体)
|
SOT-223-3
|
4000+:￥0.70512 1+:￥0.76024 |
47451 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
STN1HNK60
|
意法半导体(ST)
|
SOT-223
|
40000+:￥0.7458 8000+:￥0.8051 4000+:￥0.8475 1000+:￥1.1865 300+:￥1.695 10+:￥2.7587 |
47559 |
-
|
油柑网
|
|
|
STN1HNK60
|
ST(意法半导体)
|
SOT-223
|
4000+:￥0.7458 2000+:￥0.8041 1000+:￥0.8833 100+:￥1.0615 40+:￥1.375 |
47559 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
STN1HNK60
|
ST(意法半导体)
|
SOT-223
|
4000+:￥0.8218 2500+:￥0.8777 500+:￥0.9707 150+:￥1.3056 50+:￥1.473 5+:￥1.8638 |
11760 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 156 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |