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PMV55ENEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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PMV55ENEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.6538 3000+:￥0.6946 500+:￥0.7628 150+:￥0.9348 50+:￥1.06 5+:￥1.3524 |
2125 |
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立即发货
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立创商城
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PMV55ENEAR
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NEXPERIA
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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1000+:￥0.6821 100+:￥0.7056 1+:￥0.7252 |
2313 |
2314
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现货最快4H发
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京北通宇
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PMV55ENEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.6856 |
15000 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PMV55ENEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.71009 |
2150 |
24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PMV55ENEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.71009 |
19876 |
25+24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 646 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 478mW（Ta），8.36W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |