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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：240 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.2 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：6.5 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 15mA，150mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：225mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V,0.115A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：87mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
晶体管类型：2 PNP（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：150V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，耗散功率(Pd)：62.5W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9.1A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,6.9A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V,8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：72mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：37mΩ@10V，耗散功率(Pd)：50W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：2 NPN（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@10V,3A，栅极电荷量(Qg)：9.8nC@5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：700µA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@10V,1.9A
集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：400@100mA,1V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：33mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：120V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：65W
晶体管类型：N 通道 JFET，额定电流（安培）：30mA，电压 - 额定：25 V，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V,13A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V