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晶体管类型：7 NPN 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 500µA，350mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 350mA，2V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@10V；85mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@4.5V,0.17A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@4.5V,11A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：2W
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：55V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：8.8mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：114mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V,2.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V,5.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2.2A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 1mA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：12Ω@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A；7.6A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V；24mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V，耗散功率(Pd)：104W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：247A，导通电阻(RDS(on))：1mΩ@10V,50A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,2.8A
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@2.5V,4A，耗散功率(Pd)：1.4W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,2.5A
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：7 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）