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晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：234mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V,30A，耗散功率(Pd)：25W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：246mW，直流电流增益(hFE)：15@10mA,10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V,2.5A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：500mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：260mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ@10V,50A
门极触发电压(Vgt)：800mV，保持电流(Ih)：5mA，断态峰值电压(Vdrm)：400V，门极触发电流(Igt)：60uA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V,50A，耗散功率(Pd)：38W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：5.3Ω@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,4.2A，耗散功率(Pd)：1.2W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V,2A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：100mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V，最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA,0.3V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：250mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V,30A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：142mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@4.5V,2.8A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：39A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,15A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：1.4mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
可控硅类型：1个双向可控硅，断态峰值电压(Vdrm)：800V，门极触发电流(Igt)：50mA，通态峰值电压(Vtm)：1.55V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：5.6Ω@2.75V,200mA
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms