BD139
ST(意法半导体)
TO-126
¥0.5762
51,505
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BD139
ST(意法半导体)
TO-126

5000+:¥0.5762

2500+:¥0.6143

500+:¥0.6779

150+:¥0.8208

50+:¥0.9353

5+:¥1.2024

39255

-
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BD139
ST(意法半导体)
SOT32

1000+:¥0.7

500+:¥0.7295

100+:¥0.7885

30+:¥0.8475

1+:¥0.877

303

-
立即发货
BD139
ST(意法半导体)
TO-126

500+:¥0.95

150+:¥1.08

50+:¥1.21

5+:¥1.56

9865

17+
BD139
STMICROELECTRONICS
SOT-323

1+:¥1.0192

2074

2307
现货最快4H发
BD139
STMicroelectronics
SOT-32-3

1000+:¥0.572

500+:¥0.633

100+:¥0.6919

30+:¥0.7393

10+:¥0.8655

1+:¥1.0181

11

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.25 W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3