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HYG210P06LQ1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG210P06LQ1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252
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2500+:￥0.71 1+:￥0.767 |
1713 |
25+
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圣禾堂
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HYG210P06LQ1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252
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2500+:￥0.7384 1+:￥0.79768 |
1711 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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HYG210P06LQ1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252
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2500+:￥0.79 500+:￥0.96 50+:￥1.23 5+:￥1.54 |
13200 |
22+/23+
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在芯间
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HYG210P06LQ1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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5000+:￥0.813 2500+:￥0.8631 500+:￥1.0269 150+:￥1.2146 50+:￥1.3651 5+:￥1.7162 |
8660 |
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立创商城
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HUAYI
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TO-252-2L
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1250+:￥0.8437 100+:￥0.9955 40+:￥1.298 |
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3天-15天
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唯样商城
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V |