NX3008NBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0621
510,654
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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NX3008NBK,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.0345

1+:¥0.0435

82940

21+
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NX3008NBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

51000+:¥0.0347

24000+:¥0.0372

6000+:¥0.0418

3000+:¥0.0486

500+:¥0.0578

50+:¥0.0742

43150

-
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NX3008NBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.03588

1+:¥0.04524

46799

21+
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NX3008NBK,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.0621

1500+:¥0.0783

480+:¥0.1044

79880

-
3天-15天
NX3008NBK,215
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2000+:¥0.0752

1000+:¥0.0788

500+:¥0.0839

100+:¥0.0949

20+:¥0.1058

5+:¥0.1168

3000

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.68 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3