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SI2305CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2305CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.2446 3000+:￥0.2609 500+:￥0.3038 150+:￥0.3446 50+:￥0.3989 5+:￥0.5077 |
8070 |
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立创商城
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SI2305CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.285 1500+:￥0.2986 600+:￥0.3205 200+:￥0.3478 50+:￥0.375 10+:￥0.4078 |
2511 |
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华秋商城
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SI2305CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.294 1+:￥0.332 |
9491 |
2年内
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.30576 1+:￥0.34528 |
8854 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.3113 6000+:￥0.3361 3000+:￥0.3538 800+:￥0.4953 200+:￥0.7076 10+:￥1.0968 |
240000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 960 pF @ 4 V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |