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SI2347DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2347DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.4631 3000+:￥0.493 500+:￥0.5903 150+:￥0.7165 50+:￥0.8081 5+:￥1.0216 |
4760 |
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Vishay(威世)
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SOT-23
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600+:￥0.5567 50+:￥0.7656 5+:￥0.9706 |
225 |
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华秋商城
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VISHAY
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SOT-23
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100+:￥0.6047 1+:￥0.6468 |
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2237
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现货最快4H发
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京北通宇
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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1000+:￥1.2649 500+:￥1.332 300+:￥1.4182 100+:￥1.8399 70+:￥2.4915 |
2835 |
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3周-4周
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3，TO-236
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6000+:￥0.3687 3000+:￥0.3887 500+:￥0.4584 150+:￥0.5182 50+:￥0.578 5+:￥0.6976 |
280 |
2320+
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1工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 705 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |