咨询/建议
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@2.75V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：33A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@2.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@4.5V,2A，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：240V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：14Ω@10V,0.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,6A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@10V,5.0A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6.5A，耗散功率(Pd)：1.4W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：58mΩ@10V；65mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V,0.1A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V,2.8A，耗散功率(Pd)：750mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：12Ω@4.5V,0.14A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7.1A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@4.5V,4A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@2.5V,4A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.6A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.5W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.1A，导通电阻(RDS(on))：115mΩ@2.5V