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BSC028N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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封装
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价格(含税)
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BSC028N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.68 500+:￥2.85 100+:￥3.17 30+:￥3.71 10+:￥4.25 1+:￥5.34 |
4779 |
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.8 1+:￥2.92 |
27189 |
25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.912 2500+:￥3.0368 1250+:￥3.1824 100+:￥3.4424 1+:￥4.1392 |
14980 |
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1-3工作日
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硬之城
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PG-TDSON-8
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500+:￥3.21 100+:￥3.56 20+:￥4.55 1+:￥5.93 |
5000 |
22+/23+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥3.696 100+:￥3.795 10+:￥4.29 1+:￥4.455 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |