咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V,5A
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：50 Ohms
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：41.4mΩ@1.8V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,4.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9.1A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,6.9A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@4.5V,10A
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@2.5V；83mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：900mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 80mA，800mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,6A，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10.5A，导通电阻(RDS(on))：13.5mΩ@10V；18.5mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@10V,4A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：300A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V,4A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：39mΩ@4.5V；58mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：800mA，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@6A，耗散功率(Pd)：1.5W，阈值电压(Vgs(th))：1.2V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,6A，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,10A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V,25A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.6A，导通电阻(RDS(on))：56mΩ@4.5V,3.5A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.51W
技术：JFET，配置：N 通道，增益：12dB，电压 - 测试：10 V，额定电流（安培）：60mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：86A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,20A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V，耗散功率(Pd)：104W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3.9mΩ@10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）