咨询/建议
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：2210，宏单元数：1700
LAB/CLB 数：1840，逻辑元件/单元数：29440，总 RAM 位数：1105920，I/O 数：290，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
LAB/CLB 数：240，逻辑元件/单元数：2160，总 RAM 位数：73728，I/O 数：108，栅极数：100000
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：226304，I/O 数：201，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：346，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：68，栅极数：200000
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
逻辑元件/单元数：6000，总 RAM 位数：184320，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：29080，逻辑元件/单元数：77000，总 RAM 位数：5001216，I/O 数：240，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：190，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：150，逻辑元件/单元数：1200，总 RAM 位数：9421，I/O 数：113，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：165，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：294912，I/O 数：141，栅极数：400000
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：296，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：114，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1175，逻辑元件/单元数：9400，总 RAM 位数：442368，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4713，逻辑元件/单元数：75408，总 RAM 位数：2810880，I/O 数：292，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：11000，逻辑元件/单元数：44000，总 RAM 位数：1990656，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7911，逻辑元件/单元数：101261，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：326，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：3688，逻辑元件/单元数：33192，总 RAM 位数：663552，I/O 数：250，栅极数：1600000
LAB/CLB 数：2475，逻辑元件/单元数：39600，总 RAM 位数：1161216，I/O 数：325，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：1563，逻辑元件/单元数：25000，总 RAM 位数：691200，I/O 数：360，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：7155，逻辑元件/单元数：114480，总 RAM 位数：3981312，I/O 数：528，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7155，逻辑元件/单元数：114480，总 RAM 位数：3981312，I/O 数：528，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1563，逻辑元件/单元数：25000，总 RAM 位数：691200，I/O 数：360，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：8000，逻辑元件/单元数：102400，总 RAM 位数：4423680，I/O 数：338，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：76800，总 RAM 位数：4331520，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7443，逻辑元件/单元数：119088，总 RAM 位数：3981312，I/O 数：283，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：285，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：1172，逻辑元件/单元数：18752，总 RAM 位数：239616，I/O 数：152，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：8000，逻辑元件/单元数：102400，总 RAM 位数：4423680，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2400，逻辑元件/单元数：30720，总 RAM 位数：1327104，I/O 数：360，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG