咨询/建议
LAB/CLB 数：31775，逻辑元件/单元数：406720，总 RAM 位数：29306880，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：296，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：316，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：190，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：328，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：27120，逻辑元件/单元数：474600，总 RAM 位数：41984000，I/O 数：304，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V
LAB/CLB 数：18180，逻辑元件/单元数：318150，总 RAM 位数：13004800，I/O 数：312，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：36
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：76800，总 RAM 位数：4331520，I/O 数：338，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：100，电压 - 供电：0.92V ~ 0.98V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：300，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.87V ~ 0.93V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：296，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：248，栅极数：200000
LAB/CLB 数：480，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：221184，I/O 数：173，栅极数：200000
LAB/CLB 数：600，逻辑元件/单元数：2700，总 RAM 位数：40960，I/O 数：176，栅极数：100000
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：40，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：18432，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：104，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1805，逻辑元件/单元数：42959，总 RAM 位数：3517440，I/O 数：364，电压 - 供电：0.87V ~ 0.93V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：179，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：3118，逻辑元件/单元数：49888，总 RAM 位数：2562048，I/O 数：290，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：2210，宏单元数：1700
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：182，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：94，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：1694，逻辑元件/单元数：33880，总 RAM 位数：1369728，I/O 数：361，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：89，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：2076，逻辑元件/单元数：33216，总 RAM 位数：483840，I/O 数：475，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1172，逻辑元件/单元数：18752，总 RAM 位数：239616，I/O 数：315，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：40，宏单元数：32
LAB/CLB 数：56480，逻辑元件/单元数：149500，总 RAM 位数：7880704，I/O 数：240，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：56，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：246，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V