咨询/建议
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：274，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：246，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：246，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：78，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：18480，逻辑元件/单元数：49000，总 RAM 位数：3464192，I/O 数：224，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：168，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1563，逻辑元件/单元数：25000，总 RAM 位数：691200，I/O 数：178，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：248，栅极数：200000
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：296，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
停产
LAB/CLB 数：598，逻辑元件/单元数：5980，总 RAM 位数：92160，I/O 数：185，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：296，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：408，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：5079，逻辑元件/单元数：81264，总 RAM 位数：2810880，I/O 数：289，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：280，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：190，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1920，逻辑元件/单元数：17280，总 RAM 位数：442368，I/O 数：173，栅极数：1000000
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：2210，宏单元数：1700
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：85，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：292，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：2816，逻辑元件/单元数：25344，总 RAM 位数：589824，I/O 数：375，栅极数：1400000
LAB/CLB 数：1920，逻辑元件/单元数：17280，总 RAM 位数：442368，I/O 数：333，栅极数：1000000
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：1563，逻辑元件/单元数：25000，总 RAM 位数：691200，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：2475，逻辑元件/单元数：39600，总 RAM 位数：1161216，I/O 数：325，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：2475，逻辑元件/单元数：39600，总 RAM 位数：1161216，I/O 数：325，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
停产
LAB/CLB 数：291，逻辑元件/单元数：2910，总 RAM 位数：59904，I/O 数：65，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：18480，逻辑元件/单元数：49000，总 RAM 位数：3464192，I/O 数：224，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：4276，逻辑元件/单元数：68416，总 RAM 位数：1152000，I/O 数：422，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V