咨询/建议
I/O 数：77，栅极数：30000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型，工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）
可编程类型：系统内可编程（最少 100 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.5V ~ 5.5V，宏单元数：32，I/O 数：32
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：25 ns，供电电压 - 内部：4.5V ~ 5.5V，宏单元数：32，I/O 数：32
总 RAM 位数：18432，I/O 数：71，栅极数：60000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：104，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.5 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，I/O 数：74，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.5V ~ 5.5V，宏单元数：128，I/O 数：64
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.5V ~ 5.5V，宏单元数：64，I/O 数：32
LAB/CLB 数：32，逻辑元件/单元数：256，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：104，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：80，宏单元数：64
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：343，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：176，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：176，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：226，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：106，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：88，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：178，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：176，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：176，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：1803，逻辑元件/单元数：28848，总 RAM 位数：608256，I/O 数：532，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：335，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：150，逻辑元件/单元数：1200，总 RAM 位数：9421，I/O 数：113，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：178，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：89，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：76800，总 RAM 位数：4331520，I/O 数：338，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：160，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V