咨询/建议
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
总 RAM 位数：36864，I/O 数：151，栅极数：250000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：246，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：195，栅极数：200000
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：2.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：32，逻辑元件/单元数：256，I/O 数：78，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：2125，逻辑元件/单元数：17000，总 RAM 位数：716800，I/O 数：133，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：226304，I/O 数：100，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：195，栅极数：200000
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
停产
LAB/CLB 数：400，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：78336，I/O 数：249，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：321，逻辑元件/单元数：5136，总 RAM 位数：423936，I/O 数：94，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：660，逻辑元件/单元数：5280，总 RAM 位数：1171456，I/O 数：21，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：3000，逻辑元件/单元数：12000，总 RAM 位数：589824，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
LAB/CLB 数：32，逻辑元件/单元数：256，I/O 数：78，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：142，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
总 RAM 位数：36864，I/O 数：157，栅极数：250000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：89，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：400，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：78336，I/O 数：301，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：4.9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 3.465V，宏单元数：128，I/O 数：78
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：266，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：4.7 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
停产
LAB/CLB 数：1176，逻辑元件/单元数：5292，总 RAM 位数：57344，I/O 数：140，栅极数：200000
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.1 ns，供电电压 - 内部：1.14V ~ 1.26V，宏单元数：600，I/O 数：73
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：246，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
总 RAM 位数：36864，I/O 数：71，栅极数：125000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：266，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：612，逻辑元件/单元数：5508，总 RAM 位数：221184，I/O 数：108，栅极数：250000
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：226，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：240，逻辑元件/单元数：2160，总 RAM 位数：73728，I/O 数：66，栅极数：100000
LAB/CLB 数：1472，逻辑元件/单元数：13248，总 RAM 位数：368640，I/O 数：161，栅极数：700000
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V