咨询/建议
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：4.7 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
LAB/CLB 数：715，逻辑元件/单元数：9152，总 RAM 位数：589824，I/O 数：102，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：91，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：179，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：500，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：660，逻辑元件/单元数：5280，总 RAM 位数：1171456，I/O 数：39，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：91，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：4.7 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：179，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：91，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：通孔
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：24000，总 RAM 位数：1032192，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
LAB/CLB 数：1395，逻辑元件/单元数：22320，总 RAM 位数：608256，I/O 数：153，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：27120，逻辑元件/单元数：474600，总 RAM 位数：41984000，I/O 数：280，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：1395，逻辑元件/单元数：22320，总 RAM 位数：608256，I/O 数：79，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：114，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：165，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：88，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：91，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：114，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
停产
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V