咨询/建议
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：3491，逻辑元件/单元数：55856，总 RAM 位数：2396160，I/O 数：321，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：1395，逻辑元件/单元数：22320，总 RAM 位数：608256，I/O 数：79，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：29080，逻辑元件/单元数：77000，总 RAM 位数：5001216，I/O 数：240，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：18480，逻辑元件/单元数：49000，总 RAM 位数：3464192，I/O 数：128，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：8000，逻辑元件/单元数：102400，总 RAM 位数：4423680，I/O 数：338，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：10，电压 - 输入：3.3V，速度：10 ns，安装类型：表面贴装型
可编程类型：EE PLD，宏单元数：10，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：表面贴装型
可编程类型：EE PLD，宏单元数：10，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：通孔
可编程类型：EE PLD，宏单元数：10，电压 - 输入：5V，速度：7.5 ns，安装类型：通孔
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：3.8 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：111，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：36
总 RAM 位数：36864，I/O 数：68，栅极数：250000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
总 RAM 位数：18432，I/O 数：71，栅极数：60000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：112，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，I/O 数：113，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
逻辑元件/单元数：6060，总 RAM 位数：719872，I/O 数：161，电压 - 供电：1.14V ~ 2.625V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：195，栅极数：200000
LAB/CLB 数：176，逻辑元件/单元数：1584，总 RAM 位数：55296，I/O 数：68，栅极数：50000
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：300，逻辑元件/单元数：3840，总 RAM 位数：221184，I/O 数：102，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
LAB/CLB 数：291，逻辑元件/单元数：2910，总 RAM 位数：59904，I/O 数：65，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：246，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：440，逻辑元件/单元数：3520，总 RAM 位数：81920，I/O 数：39，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：88，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：246，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1395，逻辑元件/单元数：22320，总 RAM 位数：608256，I/O 数：153，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：232，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：162，电压 - 供电：1.2V
停产
LAB/CLB 数：291，逻辑元件/单元数：2910，总 RAM 位数：59904，I/O 数：104，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：625，逻辑元件/单元数：5000，总 RAM 位数：169984，I/O 数：146，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：226304，I/O 数：146，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：178，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：65536，I/O 数：107，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：346，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
可编程类型：系统内可编程，存储容量：1Mb，电压 - 供电：3V ~ 3.6V，工作温度：-40°C ~ 85°C，安装类型：表面贴装型
架构：MCU，FPGA，核心处理器：ARM® Cortex®-M3，闪存大小：128KB，RAM 大小：64KB，连接能力：CANbus，以太网，I²C，SPI，UART/USART，USB
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：340，电压 - 供电：1.2V