咨询/建议
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：80，宏单元数：64
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.5V ~ 5.5V，宏单元数：128，I/O 数：80
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：232，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：112，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：114，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：176，逻辑元件/单元数：1584，总 RAM 位数：55296，I/O 数：108，栅极数：50000
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：24000，总 RAM 位数：1032192，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：24000，总 RAM 位数：1032192，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：232，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：11000，逻辑元件/单元数：44000，总 RAM 位数：1990656，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
LAB/CLB 数：11000，逻辑元件/单元数：44000，总 RAM 位数：1990656，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
停产
LAB/CLB 数：598，逻辑元件/单元数：5980，总 RAM 位数：92160，I/O 数：185，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，宏单元数：128，I/O 数：80
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：2.7V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：142，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：218，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：218，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
停产
LAB/CLB 数：1164，逻辑元件/单元数：10476，总 RAM 位数：368640，I/O 数：158，栅极数：500000
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：29080，逻辑元件/单元数：77000，总 RAM 位数：5001216，I/O 数：240，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：280，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：138，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
逻辑单元数：114480，逻辑阵列块数量：7155，内嵌式块RAM(eRAM)：3981312bit，工作温度：-40℃~+100℃
LAB/CLB 数：4160，逻辑元件/单元数：37440，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：309，栅极数：1800000
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：31775，逻辑元件/单元数：406720，总 RAM 位数：29306880，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：10 ns，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：4.5V ~ 5.5V，宏单元数：64，I/O 数：64
LAB/CLB 数：32，逻辑元件/单元数：256，I/O 数：78，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：80，宏单元数：64