咨询/建议
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：36
总 RAM 位数：36864，I/O 数：68，栅极数：250000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：24000，总 RAM 位数：1032192，I/O 数：197，电压 - 供电：1.045V ~ 1.155V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：440，逻辑元件/单元数：3520，总 RAM 位数：81920，I/O 数：107，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
逻辑单元数：39600，逻辑阵列块数量：2475，内嵌式块RAM(eRAM)：1161216bit，工作温度：0℃~+85℃
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：32，逻辑元件/单元数：256，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，供电电压 - 内部：1.71V ~ 2.5V，2.3V ~ 5.5V，宏单元数：19，I/O 数：13，工作温度：-40°C ~ 85°C
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：18432，I/O 数：40，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：68，栅极数：200000
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：179，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：30300，逻辑元件/单元数：530250，总 RAM 位数：21606000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
LAB/CLB 数：41460，逻辑元件/单元数：725550，总 RAM 位数：38912000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
LAB/CLB 数：176，逻辑元件/单元数：1584，总 RAM 位数：55296，I/O 数：108，栅极数：50000
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：195，栅极数：200000
停产
可编程类型：系统内可编程，存储容量：2Mb，电压 - 供电：3V ~ 3.6V，工作温度：-40°C ~ 85°C，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：3491，逻辑元件/单元数：55856，总 RAM 位数：2396160，I/O 数：324，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：40，宏单元数：32
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：179，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：系统内可编程，存储容量：64Mb，电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V，工作温度：-40°C ~ 85°C，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：165，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1395，逻辑元件/单元数：22320，总 RAM 位数：608256，I/O 数：153，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：3491，逻辑元件/单元数：55856，总 RAM 位数：2396160，I/O 数：324，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：通孔
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.5 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
LAB/CLB 数：715，逻辑元件/单元数：9152，总 RAM 位数：589824，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：160，宏单元数：128
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440