咨询/建议
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：114，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
逻辑单元数：39600，逻辑阵列块数量：2475，内嵌式块RAM(eRAM)：1161216bit，工作温度：-40℃~+100℃
停产
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：107，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：111，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：1484，逻辑元件/单元数：5936，总 RAM 位数：184320，I/O 数：37，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
逻辑单元数：28848，逻辑阵列块数量：1803，内嵌式块RAM(eRAM)：608256bit，工作温度：0℃~+85℃
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：280，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：715，逻辑元件/单元数：9152，总 RAM 位数：589824，I/O 数：102，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：104，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：160，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：240，逻辑元件/单元数：2160，总 RAM 位数：73728，I/O 数：66，栅极数：100000
总 RAM 位数：36864，I/O 数：68，栅极数：250000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：150，电压 - 供电：1.2V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：316，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：160，宏单元数：128
LAB/CLB 数：32，逻辑元件/单元数：256，I/O 数：55，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：18432，I/O 数：40，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：176，逻辑元件/单元数：1584，总 RAM 位数：55296，I/O 数：68，栅极数：50000
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
逻辑单元数：28848，逻辑阵列块数量：1803，内嵌式块RAM(eRAM)：608256bit，工作温度：0℃~+85℃
LAB/CLB 数：900，逻辑元件/单元数：14400，总 RAM 位数：552960，I/O 数：72，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
LAB/CLB 数：1803，逻辑元件/单元数：28848，总 RAM 位数：608256，I/O 数：328，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：300，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1840，逻辑元件/单元数：29440，总 RAM 位数：1105920，I/O 数：290，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：316，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：625，逻辑元件/单元数：5000，总 RAM 位数：169984，I/O 数：100，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：85，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：25391，逻辑元件/单元数：444343，总 RAM 位数：19456000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V