Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.047
1074705
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1
20065
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0955
46752
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
ST(先科)
LL-41
¥0.129
15426
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@12.4V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SMA
¥0.278289
49478
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 5.2 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.504306
26046
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):4.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 8 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.554697
27484
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):38 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 27.4 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.65968
9510
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0216
140143
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
CBI(创基)
SOD-123
¥0.0287
51062
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.03893
104402
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.6V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0434
294097
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.045
877917
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):8.04V~8.36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0765
3204
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0556
586586
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA,稳压值(范围):7.7V~8.7V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.075
99943
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0773
91521
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0853
54167
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0997
101747
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.12688
28119
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±2.21%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 19 V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1489
73229
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):17.1V~18.9V
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.182
14798
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):37 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900 nA @ 2 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.23589
16828
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):9V~11V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.202
5872
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 13.7 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.497
26721
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:75 µA @ 1 V
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.0274
10951
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.033535
19900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.045
15856
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
21807
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.04805
13543
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):37V~41V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.05054
1095974
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0528
218979
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.087
82725
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.13
55272
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 nA @ 15.2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1089
202020
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.132114
65894
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.154752
22820
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1908
23590
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.022
128289
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
华轩阳
LL-34
¥0.024985
16600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
Hottech(合科泰)
LL-34(SOD-80)
¥0.032775
34140
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.031875
44473
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0468
60515
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0722
28513
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.8V~15.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0762
27975
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):17V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.15V~17.85V
华轩阳
LL-41
¥0.064005
3890
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,稳压值(范围):10.8V~13.2V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
289243
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA@21V,稳压值(范围):25.3V~28.9V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.075175
62263
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.10254
93179
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1908
6850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,稳压值(范围):17.17V~18.88V