LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0631
193654
稳压值(标称值):25V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):23.75V~26.25V,耗散功率(Pd):500mW
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
154796
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.106
192287
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 13.6 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.1189
59788
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.9%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.45
116043
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 18.2 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.92223
2920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.7V~6.3V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
267732
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@19V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06032
4319
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0781
29766
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.3V~14.7V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
711040
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
晶导微电子
SMA
¥0.07862
188355
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
Nexperia(安世)
SC-76,SOD-323
¥0.112
73756
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.217
46687
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.59V~5.61V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0211
18442
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):4.4V~5V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.04077
58990
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0431
49436
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0542
226265
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):100nA@10V,稳压值(范围):13.3V~14.7V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0515
244295
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0559
43735
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3.0V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.094
120490
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.08226
119248
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.08
259185
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.096228
18319
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.16444
2401
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SMA
¥0.375
92710
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 6 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0572
29038
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
KEC(开益禧)
USC(SOD-323)
¥0.0495
20415
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.046
267224
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@15V,稳压值(范围):19V~21V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.07166
15224
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):14Ω
晶导微电子
SMAF
¥0.07259
225414
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):15.2V~17.1V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
734038
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.18414
29220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):6.5V~7.1V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2442
4122
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 11.4 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.3453
4555
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 9.1 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.642
10670
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 3 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.02246
117326
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):100nA@3V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03195
26325
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
华轩阳
SOD-323
¥0.0346
17473
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
125705
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0452
29428
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA@2.0V,稳压值(范围):5.7V~6.3V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0476
56410
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
DIODES(美台)
SC-79,SOD-523
¥0.0937
69075
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SC-79,SOD-523
¥0.1144
164373
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.115
75471
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0214
9499
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03195
15650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.2V~6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
14975
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):1.9V~2.1V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.046835
1978
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0464
30449
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0464
11950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):34V~38V