CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07619
19666
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.06656
24016
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):7Ω
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.107712
108560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0218
22494
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):7V~7.9V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.023868
15550
稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):1.8V~2.15V,耗散功率(Pd):500mW
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0899
65957
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.098
58037
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.45
3958
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 20.6 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.039
73873
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):10.1uA@14.0V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0441
649792
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):50nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
150318
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.0445
31934
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):5V~5.2V
德昌电子
LL-34
¥0.0585
7500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):200nA@13V,耗散功率(Pd):500mW
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0573
82639
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.0396
110160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0509
9028
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.047
9530
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.04384
28457
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
98595
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.095
436519
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.033
11750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4V~4.6V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0334
328049
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.0434
104987
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07103
10433
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07602
25014
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0646
24136
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):800nA@1V,稳压值(范围):2.85V~3.15V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0864
125176
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.091
81231
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.11024
77980
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA,工作温度:-55°C ~ 150°C
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1265
11370
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.177
47632
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LGE(鲁光)
DO-41G
¥0.191
16682
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.432
68617
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
ZHIDE(志得)
DO214AA(SMB)
¥0.78
1895
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.88V,耗散功率(Pd):5W
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.02106
21146
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03472
13700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4.0V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0343
304750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
ST(先科)
SOD-523
¥0.0633
7444
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0771
148802
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
50107
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):1W
晶导微电子
SOD-123
¥0.075
74431
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0765
183800
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0791
98576
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.092
256897
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.105
381763
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1715
50655
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.20592
7325
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.499
2489
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.774
33936
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
晶导微电子
SOD-323
¥0.03255
35773
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V