晶导微电子
SMA
¥0.0792
669627
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):1uA@38V,稳压值(范围):48.6V~54V
ST(先科)
DO-41
¥0.0894
1963
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.10098
21819
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.531036
24427
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 15.2 V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.60525
21415
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):5uA@7.2V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
Hottech(合科泰)
LL-34(SOD-80)
¥0.03173
9567
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):500mW
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
4650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048825
18437
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0513
6623
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0467
18307
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0495
137974
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):18 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.08122
16416
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28.5V~31.5V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0683
143893
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
华轩阳
LL-41
¥0.08968
10300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.04V~6.16V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0902
93879
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0972
10359
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
德昌电子
DO-41
¥0.1794
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.294
3180
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.29115
21480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.59V~5.61V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.33498
3956
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.7313
5095
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.7 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0377
13456
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):13uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
163183
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0454
22986
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@15.4V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0441
339802
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16.2V,反向电流(Ir):50nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0473
20261
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6.0V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0569
2260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0592
7350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.8V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.06261
638672
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.34V~14.98V,耗散功率(Pd):500mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0617
23755
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2.22%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
德昌电子
SOD-123
¥0.07316
810
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):180nA@7V,稳压值(范围):9.8V~10.2V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
209655
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):25uA@1V,稳压值(范围):4.06V~4.56V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
168740
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.091
195621
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6.5 V
ST(先科)
LL-41
¥0.133
3785
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.12898
51378
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.13624
15339
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):41 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
DOWO(东沃)
SMB(DO-214AA)
¥0.21736
31518
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA@9.9V,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.2288
1948
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900 nA @ 8 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2841
38855
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):27V~33V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4097
48089
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.42
31090
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
华轩阳
LL-34
¥0.02318
5400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03472
16560
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.040545
8083
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0459
117153
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.046
22596
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~29V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0495
192017
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.04216
2550
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.04941
3250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V