CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
131761
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
280440
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
555948
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.5V~4.93V
DIODES(美台)
SMA
¥0.32
25760
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.047
10925
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
晶导微电子
SOD-323
¥0.031
33093
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
291848
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.0386
342516
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0389
69785
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):5.8V~6.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.03068
43597
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0667
848909
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
ST(先科)
DO-41
¥0.1
11323
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.032
13950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@15.4V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.049569
36936
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0496
16342
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048136
24774
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):4V~4.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0485
2762675
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):200mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.051775
21255
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.49V~5.71V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.06365
28063
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1323
14197
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2029
20896
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.16038
31365
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±3%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.666
12436
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):500nA@19.4V,稳压值(范围):25.65V~28.35V
华轩阳
SOD-123
¥0.033535
34350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):1.6uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.04105
47553
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28V~32V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.03983
93718
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0444
162703
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0444
114342
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0453
559167
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.047
511862
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
114252
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0557
168076
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.49V~5.71V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0551
503283
稳压值(标称值):10V,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):200mW,工作结温范围:-65℃~+150℃
晶导微电子
SMA
¥0.0792
47780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5V,稳压值(范围):7.12V~7.88V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.084
45486
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.078507
531148
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1051
50501
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1072
72900
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6 V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.1265
20790
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):1W
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.231
28725
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.499851
73796
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.9 V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0223
20559
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03587
283399
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):500nA@3.5V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0581
54770
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
298022
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.045235
28150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06764
6294
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.047
21817
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14.0V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06157
11993
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0761
28621
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):12.35V~13.65V