CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0678
29835
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.89V~6.51V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
722217
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.06926
7888
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06
59214
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):6.46V~7.14V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.08081
59281
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.098
34450
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.112
98521
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.118
101553
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.08746
26938
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.127
52870
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):24 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
DO-41
¥0.162459
15445
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.179
3793
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2542
4620
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.1 V,安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SMB
¥0.452
93607
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.2 kOhms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 152 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.97371
7746
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4.9V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0223
8007
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):2.5V~2.9V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.0332
2650
稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA@30V,稳压值(范围):37V~41V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
55787
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
13450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.6V,反向电流(Ir):150uA@1.0V,稳压值(范围):1.91V~2.09V
CBI(创基)
SOD-123
¥0.0287
48755
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.02943
150637
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
华轩阳
SOT-23
¥0.03193
68450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0345
33866
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.2V~6V
ST(先科)
SOD-323
¥0.047
49463
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.04763
8974
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0454
14060
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.052
587663
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.057
191838
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0539
104093
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.98V~5.2V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.05698
13875
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 16.8 V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.056
217577
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):14.3V~15.8V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0564
1450395
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 3 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
776971
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18V,稳压值(范围):22.8V~26V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
210262
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.088
46131
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0888
134392
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.132
42430
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,耗散功率(Pd):2W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.16224
21345
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Slkor(萨科微)
SMB
¥0.1602
3333
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
Nexperia(安世)
SOD-882(DFN1006-2)
¥0.135606
17900
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.25578
7305
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):6.46V~7.14V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.24
14160
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.28364
127451
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
DIODES(美台)
SMA
¥0.285
61153
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 12.2 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.49
30384
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 22.8 V
LGE(鲁光)
SMB
¥1.152
5976
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):150uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.0306
9770
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0412
19392
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0424
5500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0603
91489
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):28V~32V