华轩阳
LL-34
¥0.02162
159879
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.05897
54203
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
华轩阳
LL-34
¥0.0214
62143
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.035475
40340
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
280691
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):500mW
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.0407
103463
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
137945
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.35V~13.65V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
212429
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
550223
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0899
449456
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022
342835
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
481908
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0361
302483
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):25.65V~28.35V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
565302
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0224
146222
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0785
215581
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0466
834959
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):200mW
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.0208
18136
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0208
72498
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
华轩阳
LL-41
¥0.06656
78020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.59V~5.61V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.031875
155642
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.121
160101
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):22.8V~26V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.053
156040
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.02985
85663
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
582656
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):500mW
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
362119
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.02673
31938
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.082
139830
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.7846
13835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
53597
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):7.79V~8.61V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0654
140783
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0293
47598
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03578
128531
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0699
761088
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.085
683500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.391
93515
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 11.4 V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0353
67238
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
晶导微电子
SOD-123
¥0.028
98536
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07883
27309
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.072
105480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0961
55891
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0536
174853
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03256
13650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
ST(先科)
SOD-123
¥0.046
329377
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.095
115076
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0439
434539
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.047
539927
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.3817
83879
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 3 V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0461
28819
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1098
72539
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1.5 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA