MMSZ3V3T1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1089
202,020
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
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MMSZ3V3T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

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6000+:¥0.1162

3000+:¥0.1309

300+:¥0.1546

100+:¥0.1791

10+:¥0.228

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ON(安森美)
SOD-123

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MMSZ3V3T1G
ON(安森美)
SOD-123

30000+:¥0.1221

6000+:¥0.1318

3000+:¥0.1388

800+:¥0.1943

100+:¥0.2776

20+:¥0.4303

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安森美(onsemi)
SOD-123

30000+:¥0.1221

6000+:¥0.1318

3000+:¥0.1388

800+:¥0.1943

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MMSZ3V3T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

1000+:¥0.133

100+:¥0.1398

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规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.3 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123