Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.087
82743
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.13
55243
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 nA @ 15.2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.088734
39225
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1089
201981
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.12584
114703
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.106
94550
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.1378
9440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.14841
70286
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.154752
22700
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.213444
80981
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1908
23580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2
38210
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.21816
95553
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.23
3100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMB
¥0.22672
190465
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@150V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.182
11804
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.2499
36043
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@600V
MDD(辰达行)
MBS
¥0.4698
1718
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
MDD(辰达行)
GBU
¥0.565
8814
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
Infineon(英飞凌)
SOD-323
¥0.7257
1908
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
插件,D3xL12mm
¥0.872575
25440
正向压降(Vf):45V@IF(AV),直流反向耐压(Vr):20kV,整流电流:5mA,反向电流(Ir):2uA
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥1.0094
1311
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥1.03428
8851
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥1.78
412
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.61
1417
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):5uA@1000V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.01065
13792
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
SMA(DO-214AC)
¥0.02018
104509
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
华轩阳
SMAF
¥0.022493
34600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
晶导微电子
SMA
¥0.0231
201838
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.02232
124656
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
华轩阳
LL-34
¥0.024985
16600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0308
90598
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
LL-34(SOD-80)
¥0.032775
33293
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):500mW
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.03016
11338
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.031875
44373
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.032
3989
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.03458
59607
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.03817
27474
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0429
317200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
德昌电子
SOD-323FL
¥0.04366
2100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0461
63965
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.05034
55159
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.04907
13540
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:160mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0722
28408
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.8V~15.6V
KEXIN(科信)
SOD-123FL
¥0.055
2950
正向压降(Vf):900mV@3.1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0762
28019
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):17V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.15V~17.85V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0836
76020
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.0635
23050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
华轩阳
LL-41
¥0.064005
2610
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,稳压值(范围):10.8V~13.2V
YANGJIE(扬杰)
SMA-W
¥0.07571
16385
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V