MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.15982
51445
正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.20007
190998
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.2183
3505
正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.299
5505
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.27872
50275
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB
¥0.4825
4062
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@60V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.245
34096
正向压降(Vf):800mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):1uA@100V
BORN(伯恩半导体)
KBP
¥0.367816
9436
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1000V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.42
15786
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.35
1208488
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.468
30117
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):810 mV @ 350 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.431
110402
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.278289
49533
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 5.2 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4308
119716
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.504306
26021
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):4.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 8 V
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.57
61868
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.554697
27399
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):38 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 27.4 V
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.52
13768
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.566
149782
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.65968
9365
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.01
493315
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥1.9
10004
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥2.24
34498
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
D2PAK
¥2.79
2179
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0216
137195
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.02444
169214
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.02465
318132
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,耗散功率(Pd):400mW
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.02625
247641
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-323FLW
¥0.0264
8059
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):50uA@75V
CBI(创基)
SOD-123
¥0.0287
51366
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
华轩阳
SOD-323
¥0.029256
45400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.03893
104402
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.6V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0434
294149
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.045
875597
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):8.04V~8.36V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0473
53413
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0617
21989
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
晶导微电子
MBS
¥0.05148
84240
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
KEXIN(科信)
SOD-323F
¥0.0549
3900
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0556
586742
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA,稳压值(范围):7.7V~8.7V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.07509
38413
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.07353
27700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.062766
14424
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
KUU(永裕泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.080352
35140
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.078
95718
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0773
92996
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0853
42784
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1153
39278
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.095
2929
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.07317
23154
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.10369
78082
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 1 V