PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.12688
28100
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±2.21%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 19 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.113
92093
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1272
16315
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@100V
Tokmas(托克马斯)
SMB
¥0.1471
3760
正向压降(Vf):570mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1489
73229
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):17.1V~18.9V
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.182
14467
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):37 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900 nA @ 2 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.23589
16505
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):9V~11V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.202
4777
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 13.7 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.235
287870
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.236
23317
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.237
246752
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.28
26697
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.28158
5474
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.4216
103537
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.324
18792
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.497
26661
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:75 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.78
12313
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
TTF
¥0.759
24832
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
PANJIT(强茂)
TO-277B
¥0.8
11383
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):12A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 12 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.825
91294
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220
¥1.39
25698
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.876
5685
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.45V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:16A
onsemi(安森美)
TO-252-2(DPAK)
¥1.8
35855
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.01818
604718
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):5uA@30V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):2A
晶导微电子
SMA
¥0.0231
2573414
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0269
22849
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
LL-34(SOD-80)
¥0.02288
64844
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.02536
18850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.0274
10821
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0297
32300
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.03609
188000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.033535
19850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
德昌电子
SOD-323FL
¥0.04136
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
晶导微电子
SMA
¥0.0413
1099706
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0434
52698
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0567
14656
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
21611
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.04805
13598
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):37V~41V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.05054
1086926
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
晶导微电子
MBS
¥0.05086
104229
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0644
218879
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
华轩阳
SMA
¥0.061688
7160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.076
73005
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0686
53814
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.072
93520
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0759
22327
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.5V@300mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.08112
178930
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
MBS
¥0.083248
24083
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.097873
29557
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-123F
¥0.08923
183937
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V