GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.0699
29916
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0713
11340
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0715
31469
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):17.1V~18.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0844
125843
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
晶导微电子
SMA
¥0.0792
204221
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@10V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.045
135009
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.08528
13791
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0868
36491
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3.5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.158
32468
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.09942
113055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1.5A
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.106
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.105
245038
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1288
256351
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@200V
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1196
138609
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1248
16401
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
SOD-80C
¥0.2275
4238
稳压值(标称值):1V,稳压值(范围):710mV~820mV,耗散功率(Pd):500mW,工作结温范围:-50℃~+175℃
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1
17000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.16
35142
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):19V~21V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1696
15420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):25.7V~28.4V
DIODES(美台)
SMA
¥0.3
30529
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 18.2 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.13832
66942
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.19552
236040
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.2133
93514
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.2112
17422
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.2114
9240
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.2305
76439
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):30mA
Nexperia(安世)
SOT-883
¥0.235128
7485
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
LGE(鲁光)
SMC
¥0.2412
6965
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.235
29134
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TUMD2SM
¥0.3028
23943
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.25584
13216
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-923
¥0.205
18912
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.2672
4590
正向压降(Vf):1.8V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.2394
17965
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.17
38633
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.338
879308
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.6 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.42264
4810
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-1289
¥1.0349
6068
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 6 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4493
23890
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.9 V
VISHAY(威世)
DO-15
¥0.58
299431
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.5 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-216AA
¥0.537
16911
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥1.07
20979
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥1.0925
6114
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
YFW(佑风微)
TO-247
¥6.7545
1585
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:60A
CBI(创基)
SOD-523
¥0.02142
9347
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.02272
24720
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.02818
81002
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-523
¥0.0264
4132701
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):150mW
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.02174
15215
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0256
11700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A