Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.08133
19127
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.0728
207260
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.07992
31040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0528
259312
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):1uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0836
85527
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
晶导微电子
SMA
¥0.0792
273863
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA@21V,稳压值(范围):25.3V~28.9V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.075175
58523
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.0888
142464
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.1012
3760
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1144
31223
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMB
¥0.1232
0
正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0986
128902
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.14
34539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.164635
13070
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.165
36540
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1976
20445
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.2016
6850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,稳压值(范围):17.17V~18.88V
ST(意法半导体)
SOT-323
¥0.2841
14630
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.28766
12445
正向压降(Vf):1.3V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1uA@400V
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.3848
7077
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.316
18713
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
晶导微电子
SMC
¥0.298
24711
正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:8A,反向电流(Ir):1mA@60V
DIODES(美台)
SMA
¥0.5005
2378
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 22.8 V
ST(意法半导体)
DO-214AC,SMA
¥0.41
17180
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.364
41921
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.424
14262
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.531
38212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.5655
35745
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
YFW(佑风微)
TO-220F-AC
¥1.53
5446
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.1414
25755
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥1.8
8804
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.022515
14900
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.02896
10200
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0472
13678
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
MDD(辰达行)
SOD-523
¥0.0443
21342
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0572
829952
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.98V~5.2V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0486
18500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-523
¥0.0446
28946
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.04797
28376
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0523
5300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.05016
25724
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.03744
8196
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
LGE(鲁光)
MiniMELF
¥0.051775
23800
转折电压(典型值):32V,转折电流(Ibo):50uA,通态电流(It):2A,转折电压(范围值):28V~36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0638
164529
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.0587
11740
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0597
386113
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@1.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0584
34463
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):3uA@7.0V,稳压值(范围):8.65V~9.56V
Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.05502
13118
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.0631
333042
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1.5 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06228
44605
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)