DIODES(美台)
SOT-23
¥0.113
35661
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.1169
28894
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SC-79,SOD-523
¥0.0937
69075
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.098
794959
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-79,SOD-523
¥0.1144
164373
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.115
75471
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.11
74005
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.11556
16195
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.75V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
SUNMATE(森美特)
SMB
¥0.16568
13350
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@400V
WILLSEMI(韦尔)
SOD-523
¥0.1175
4520
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.165
883002
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.175
119333
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 250 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMC
¥0.245
12182
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
Nexperia(安世)
TO-236AB
¥0.3553
25027
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.308583
27024
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AB,SMC
¥0.4264
46485
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMC(DO-214AB)
¥0.5088
500
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.477358
36396
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AA(SMB)
¥0.71136
9904
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Leiditech(雷卯电子)
SOD-123FL
¥0.508535
5310
正向压降(Vf):420mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@40V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.7405
68478
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
TO-277A
¥0.9152
5395
正向压降(Vf):470mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):15mA
DOWO(东沃)
SOD-123FL
¥0.0203
40389
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0278
48692
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):71V,整流电流:150mA
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0214
9499
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.03438
24850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.03172
15752
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03195
15650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.2V~6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-523
¥0.03463
153530
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SOD-523
¥0.036005
2150
直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA@10V,工作结温范围:-55℃~+125℃
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
14975
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):1.9V~2.1V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.046835
1978
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0464
30449
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0464
11950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):34V~38V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.046
21531
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.047
1046247
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
UMW(友台半导体)
SOP-4
¥0.0519
6549
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.052
128457
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123FL
¥0.0659
29664
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.064
8477
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:350mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05708
26039
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.08528
111831
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
LL-41
¥0.1
19805
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0955
40389
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
PANJIT(强茂)
SOD-123F
¥0.1092
18761
正向压降(Vf):950mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500nA
KUU(永裕泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.10071
299331
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ST(先科)
LL-41
¥0.129
15526
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@12.4V,耗散功率(Pd):1W
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1404
4594
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):720mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.13936
42338
安装类型:表面贴装型,封装/外壳:DO-214AC,SMA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMC
¥0.15
66050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A