SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.02464
90687
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-523
¥0.03456
114550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.034
304780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0407
2200
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.03672
932938
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03744
20350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.04
12695
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0498
65135
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
不适用于新设计
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.045
33272
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.055
21352
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0657
271011
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4.4V~5V
ST(先科)
TO-236
¥0.0572
4903
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
晶导微电子
UMB
¥0.0572
695273
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):3uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
126701
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):21V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):2uA@25V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06448
32161
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0671
147089
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@40V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0684
18696
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
32522
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):48.6V~54V
LGE(鲁光)
MBS
¥0.0742
88430
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
24351
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA@27V,稳压值(范围):34.2V~37.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0819
12572
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
DO-214AD
¥0.068992
1520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.09464
170931
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.08
272793
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.093
95788
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1045
310446
二极管配置:1对共阳极,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):300mW
YFW(佑风微)
SMB
¥0.1008
7920
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.104
170284
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
KUU(永裕泰)
DBS
¥0.095697
41295
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
SMC
¥0.1456
323411
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.15
30027
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):7.8V~8.6V
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.154
616162
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.166743
21278
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.163
115267
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.1888
244665
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.2394
92628
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.18
171274
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.291
8116
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.138
44825
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.2669
55630
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.276
173452
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
UMSB
¥0.308
47692
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1000V
VISHAY(威世)
DO-219AB
¥0.295
206539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.324425
11590
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
华轩阳
SMC
¥0.402688
6425
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V
MDD(辰达行)
MBS
¥0.424
4330
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.451
95305
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 25.1 V
DIODES(美台)
MBS
¥0.51376
18028
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
onsemi(安森美)
SMA
¥0.428
76623
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 1.5 V
DIODES(美台)
SMC
¥0.59
64687
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)