TI(德州仪器)
VSON-8-EP(4x4)
¥4.5668
2012
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 17V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥4.5294
10072
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 15.4V
Fortior Tech(峰岹)
QFN-17L(7x7)
¥5.06001
14
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,工作电压:13.5V~16.5V,特性:欠压保护(UVP)
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥5.25
31
TI(德州仪器)
HVSSOP-8
¥5.1445
418
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
onsemi(安森美)
WDFN-8L-EP(3x3)
¥5.1688
107
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥6.88
2
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 32V
Littelfuse(美国力特)
MSOP-8-EP
¥4.83
10
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 20V
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥4.53
53
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 20V
最后售卖
Infineon(英飞凌)
¥5.488
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥3.4736
6007
负载类型:IGBT,驱动通道数:1,灌电流(IOL):3.5A,拉电流(IOH):4A
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥5.52
8
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ST(意法半导体)
SOIC-8
¥5.64891
0
开关类型:通用,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥5.661
3
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
DIODES(美台)
SOIC-28-300mil
¥15.37
28
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥5.7311
1
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
ROHM(罗姆)
-
¥5.7431
4000
驱动配置:全桥,工作电压:8V~16V,工作温度:-40℃~+110℃
Infineon(英飞凌)
PDIP-8
¥5.77
8
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥5.87
23
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
DSBGA-9
¥3.55
329
电机类型 - AC,DC:ERM,LRA,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:I²C,技术:功率 MOSFET
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-20-300mil
¥6
18488
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥6.0528
1
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ROHM(罗姆)
HTSOP-8-J
¥7.1006
100
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:PWM
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥6.27
90
技术:容性耦合,通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):90ns,90ns
onsemi(安森美)
SOT-23-5
¥6.27
85
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 18V
ST(意法半导体)
PowerSSO-16
¥8.346
0
开关类型:通用,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:高端,输出类型:N 通道
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥6.27
5046
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥5.4755
50
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 16V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥6.53
466
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
TSSOP-8
¥6.5514
24
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥4.24
209
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
RENESAS(瑞萨)
DFN-8-EP(4x4)
¥6.62
4349
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
onsemi(安森美)
DFN-8(2x2)
¥6.63
19
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5.5V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8-EP
¥6.6458
40
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
DIODES(美台)
SO-8
¥2.808
5067
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
VSON-18-EP(4x5)
¥5.97
218
输出配置:半桥(3),应用:同步降压转换器,接口:PWM,负载类型:电感,电容性,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
TSSOP-8
¥6.9125
133
驱动配置:低端,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
停产
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥8.68
12
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥11.6144
5
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 16V
TI(德州仪器)
HVSSOP-8
¥6.96
5
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ST(意法半导体)
SO-8
¥6.9864
149
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
ST(意法半导体)
SO-14
¥7.8
40
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12.5V ~ 20V
SKYWORKS(思佳讯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥6.1479
55
技术:容性耦合,通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):35kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):60ns,50ns
Infineon(英飞凌)
SOIC-14
¥7.056
109
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
ST(意法半导体)
SO-14
¥7.0685
194
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12.5V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥7.1568
32
技术:磁耦合,通道数:1,上升/下降时间(典型值):10ns,9ns,电压 - 输出供电:13V ~ 35V,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥7.2504
134
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 16V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥10.9231
14
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥7.1008
5
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥7.2912
0
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:0V ~ 18V