咨询/建议
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.2V
输出配置：半桥，应用：降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：NMOS
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
不适用于新设计
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电压 - 供电：4.25V ~ 16V，工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：39-PowerVFQFN
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.2V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI
输出配置：半桥，全桥，应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，负载类型：容性和阻性，技术：N 沟道 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
输出配置：半桥，应用：通用，接口：开/关，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
类型：IGBT，配置：3 相，电流：17 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2500VDC
驱动配置：高端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 40V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 30V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥，应用：DC-DC 转换器，接口：逻辑，负载类型：电感，电容性，电阻，导通电阻（典型值）：450 毫欧
通道数：1，电流 - 输出高、低：15A，15A，电流 - 峰值输出：15A，电压 - 输出供电：4，75V ~ 40V，工作温度：-40°C ~ 125°C
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
类型：N+1 ORing 控制器，FET 类型：N 通道，比率 - 输入:输出：1：1，内部开关：无，延迟时间 - 开启：1.3 µs
开关类型：负载开关，输出数：1，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：高端，输出类型：N 通道
输出配置：半桥（2），应用：电池供电，接口：逻辑，技术：功率 MOSFET，电流 - 输出/通道：600mA
负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：2A，拉电流(IOH)：2A
驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 40V
负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：4A，拉电流(IOH)：4A，工作电压：5V~20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 32V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET，驱动通道数：6，灌电流(IOL)：350mA