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描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

LM9061QDRQ1

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.3236

库存量: 6564

热度:

描述: 驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：7V ~ 26V

IXDD609SITR

厂牌: Littelfuse(美国力特)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.5943

库存量: 3990

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V

MIC5060YML-TR

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TDFN-8-EP(3x3)

手册:

市场价: ￥12.23

库存量: 58

热度:

描述: 驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：2.75V ~ 30V

NCP81074BDR2G

厂牌: onsemi(安森美)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.82

库存量: 56

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V

L6491D

厂牌: ST(意法半导体)

封装: SO-14

手册:

市场价: ￥12.35

库存量: 6

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

MCP14E3-E/SN

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥13.0052

库存量: 4

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

CSD95372BQ5M

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SON-12-EP(5x6)

手册:

市场价: ￥8.65788

库存量: 3246

热度:

描述: 输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET

LM25101AMX/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥24.55

库存量: 10

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V

NCV7520MWTXG

厂牌: onsemi(安森美)

封装: QFN-32-EP(5x5)

手册:

市场价: ￥13.4991

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：6，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.75V ~ 5.25V

TPS2812D

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥15.3333

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 14V

IR2011SPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥8.9

库存量: 3

热度:

描述: 驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

BD6222HFP-TR

厂牌: ROHM(罗姆)

封装: TO-263-8

手册:

市场价: ￥13.4628

库存量: 52

热度:

供应商报价 6

描述: 输出配置：半桥（2），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET

LM5111-1MY/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: MSOP-8-EP

手册:

市场价: ￥13.8629

库存量: 9

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V

TC4421AVOA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥9.2

库存量: 38

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

MIC4420YMM

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: MSOP-8

手册:

市场价: ￥14.04

库存量: 6

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

DRV8706HQRHBRQ1

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VQFN-32(5x5)

手册:

市场价: ￥14.1263

库存量: 9

热度:

描述: 电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：PWM

L6206D013TR

厂牌: ST(意法半导体)

封装: SO-24-300mil

手册:

市场价: ￥30.611

库存量: 50

热度:

描述: 输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，步进电机，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：BCDMOS

MIC4223YM

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.792

库存量: 22

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

TC4427AEUA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

手册:

市场价: ￥11.8048

库存量: 7

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

MIC5020YM

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥14.645

库存量: 6

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：11V ~ 50V

MCP14A1202-E/SN

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥14.81

库存量: 20

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

1EDC60I12AH

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: DSO-8

手册:

市场价: ￥14.87

库存量: 0

热度:

描述: 负载类型：IGBT，灌电流(IOL)：9.4A，拉电流(IOH)：10A，工作电压：3.1V~17V

MIC5021YM

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥13.97

库存量: 15

热度:

描述: 驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 36V

IR2010SPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-16-300mil

手册:

市场价: ￥14.81

库存量: 12

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

MASTERGAN4TR

厂牌: ST(意法半导体)

封装: QFN-31(9x9)

手册:

市场价: ￥12.8616

库存量: 999

热度:

描述: 输出配置：半桥，应用：通用，接口：逻辑，负载类型：容性和阻性，技术：DMOS

TC4426EPA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: DIP-8-300mil

手册:

市场价: ￥15.2435

库存量: 4

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

MIC4124YME

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8-EP

手册:

市场价: ￥15.3277

库存量: 8

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V

MCP14A0154-E/MS

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: MSOP-8

手册:

市场价: ￥15.336

库存量: 0

热度:

供应商报价 1

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

LM5111-2MX/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.29

库存量: 2

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V

LTC4442EMS8E#PBF

厂牌: ADI(亚德诺)

封装: MSOP-8-EP

手册:

市场价: ￥15.0288

库存量: 52

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 9.5V

MIC4429YM-TR

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥11.3

库存量: 196

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

1EBN1001AEXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: DSO-14

手册:

市场价: ￥15.686

库存量: 20

热度:

描述: 驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：13V ~ 18V

A4984SETTR-T

厂牌: ALLEGRO(美国埃戈罗)

封装: QFN-32(5x5)

手册:

市场价: ￥15.73

库存量: 33

热度:

供应商报价 1

描述: 电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：DMOS

停产

NCP303151MNTWG

厂牌: onsemi(安森美)

封装: PQFN-39(5x6)

手册:

市场价: ￥11.319

库存量: 52

热度:

描述: 驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V

MIC4224YMME

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: MSOP-8

手册:

市场价: ￥15.7645

库存量: 6

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

IR2011PBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 8-DIP（0.300"，7.62mm）

手册:

市场价: ￥15.7947

库存量: 22

热度:

描述: 驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

TC4423CPA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥16.184

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

TC4424AVOA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥14.75

库存量: 103

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

TC4427ACPA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: 8-DIP（0.300"，7.62mm）

手册:

市场价: ￥9.6096

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

FAN73894MX

厂牌: onsemi(安森美)

封装: SOIC-28-300mil

手册:

市场价: ￥16.23

库存量: 0

热度:

供应商报价 1

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V

HT0740LG-G

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

手册:

市场价: ￥11.3008

库存量: 0

热度:

描述: 技术：容性耦合，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：50µs， 150µs，上升/下降时间（典型值）：650µs，3ms（最大），工作温度：-40°C ~ 85°C（TA），安装类型：表面贴装型

TC4423AVOA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥16.65

库存量: 20

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

NCV57252DWR2G

厂牌: onsemi(安森美)

封装: 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

手册:

市场价: ￥16.5015

库存量: 2

热度:

描述: 技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：80ns，80ns

MIC4423ZN

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥16.7268

库存量: 4

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

MIC4424YWM

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-16-300mil

手册:

市场价: ￥17.2088

库存量: 40

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

LCS702HG

厂牌: Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

封装: SIP-13

手册:

市场价: ￥17.4589

库存量: 20

热度:

描述: 输出配置：半桥，应用：通用，接口：开/关，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET

最后售卖

IR2108SPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥17.5984

库存量: 16

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

CSD95496QVMT

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSON-18-EP(4x5)

手册:

市场价: ￥14.4143

库存量: 1184

热度:

描述: 输出配置：半桥（3），应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET

TC4431VOA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥17.6416

库存量: 2

热度: