咨询/建议
应用：脉冲发生器，电流 - 供电：50µA，电压 - 供电：4.75V ~ 11V，工作温度：-20°C ~ 85°C，安装类型：表面贴装型
电机类型 - 步进：单极，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：三相，负载类型：MOSFET；IGBT，工作电压：5V~20V，上升时间(tr)：12ns
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM，技术：NMOS
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：控制器 - 电流管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：并联，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：步进/方向，接口：步进/方向，UART，技术：功率 MOSFET
峰值电流：3.2A，工作电压：2.7V~5.5V，导通电阻：500mΩ，静态电流(Iq)：1uA
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.3V ~ 20V
驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET；IGBT，工作电压：4.8V~20V，上升时间(tr)：12ns
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：通用，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：SPI，步进/方向
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：DMOS
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：模拟，技术：DMOS
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM
负载类型：MOSFET，灌电流(IOL)：1.8A，拉电流(IOH)：1.5A，工作电压：8V~20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM，技术：NMOS
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：并联，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：单极，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：全桥，接口：PWM
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器，输出配置：半桥，应用：通用，电流 - 输出：3.5A
负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：1.5A，拉电流(IOH)：1A，工作电压：11V~20V
负载类型：MOSFET；IGBT，工作电压：10V~20V，上升时间(tr)：150ns，下降时间(tf)：75ns
负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：4A，拉电流(IOH)：4A，工作电压：5V~20V
驱动配置：高边；低边；三相，负载类型：MOSFET，灌电流(IOL)：1.8A，拉电流(IOH)：1.5A
控制电压：3V~5.5V，输出电流：1.6A，步长细分：1；8；2；16；4，接口类型：STEP/DIR
电机类型 - AC，DC：ERM，LRA，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：I²C，技术：功率 MOSFET