ST(意法半导体)
SO-14
¥11.98
50
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:17V(最大)
DIODES(美台)
QFN-8-EP(3x3)
¥2.866
31
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
UNI-SEMI
SOP-8
¥2.65
0
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,工作电压:3V~20V,上升时间(tr):72ns
onsemi(安森美)
SOP-14
¥4.214
266
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
停产
Infineon(英飞凌)
SOT-23-5
¥3.537
94
模式:临界传导(CRM),电流 - 启动:60 µA,电压 - 供电:10.5V ~ 20.8V,工作温度:-40°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
TI(德州仪器)
HVSSOP-8-EP-0.65mm
¥2.875
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
UNI-SEMI
SOP-8
¥2.88
0
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,峰值灌电流:500mA
onsemi(安森美)
MSOP-8-EP
¥2.9
5990
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥3.1096
4375
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥4.6
20
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
SCT(芯洲科技)
SOP-8
¥2.95
6334
驱动配置:低边,负载类型:MOSFET;IGBT,工作电压:4.5V~24V,上升时间(tr):8ns
DIODES(美台)
TSOT-23-5
¥6.07
96
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥3.19
1174
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
最后售卖
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥14.25
13
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥4.2541
22
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 32V
AWINIC(艾为)
FCQFN-20L(2x3)
¥3.27
220
驱动配置:全桥,工作电压:3V~5.5V,特性:欠压保护(UVP);短路保护(SCP);过热保护(OPT);过压保护(OVP),工作温度:-40℃~+85℃
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥3.38
2045
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOT-23-6
¥3.4521
139
驱动配置:半桥,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.49
0
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
RENESAS(瑞萨)
DFN-8-EP(2x2)
¥3.528
6201
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.57
0
应用:次级侧控制器,同步整流器,电压 - 供电:10.1V ~ 27.5V,电流 - 供电:7 mA,工作温度:-40°C ~ 105°C,安装类型:表面贴装型
MICROCHIP(美国微芯)
SOT-23-5
¥4.97
47
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.5952
108
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥5.76571
4
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6.1V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
TSSOP-8
¥3.6554
2350
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-14
¥3.951
249
驱动配置:高边;低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
Infineon(英飞凌)
TSNP-6
¥3.7828
714
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥3.8534
10
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥2.9832
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥4.594
98
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,电压 - 供电:12.7V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥5.48
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8-EP
¥4.266
14
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
Fortior Tech(峰岹)
QFN-17L(7x7)
¥4.31
2198
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,工作电压:13.5V~16.5V,特性:欠压保护(UVP)
最后售卖
Infineon(英飞凌)
DFN-10-EP(3x3)
¥3.6575
180
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
MICROCHIP(美国微芯)
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
¥4.3748
328
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥4.4
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
DIODES(美台)
SOT-23-6
¥2.14481
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12V(最大)
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥4.45
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
onsemi(安森美)
SOT-23-5
¥3.65
10
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:11V ~ 18V
ST(意法半导体)
SO-14
¥4.5276
2
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:17V(最大)
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8-EP
¥20.88
20
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥4.2966
3924
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
onsemi(安森美)
SOT-223-4
¥4.6844
73
开关类型:通用,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
MICROCHIP(美国微芯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥7
44
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥4.8282
21
驱动配置:高压侧和低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8-EP
¥4.8343
4
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
TI(德州仪器)
HVSSOP-8-EP-0.65mm
¥4.4
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥6.0144
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥4.40658
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
DIODES(美台)
SO-8
¥3.83
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V