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停产
驱动配置：高端，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：11.5V ~ 20V
不适用于新设计
输出配置：半桥（13），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
输出配置：半桥（17），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
输出配置：半桥（13），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
停产
输出配置：半桥（8），应用：DC 电机，通用，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：双极性
停产
输出配置：半桥（8），应用：DC 电机，通用，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：双极性
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 15V
灌电流(IOL)：8A，拉电流(IOH)：4A，上升时间(tr)：6.5ns，下降时间(tf)：4.5ns
负载类型：IGBT，灌电流(IOL)：2.4A，拉电流(IOH)：2.4A，工作电压：13V~20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V
输出配置：半桥，应用：通用，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，技术：DrMOS
输出配置：半桥（2），应用：通用，接口：SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：PMOS
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
驱动配置：低边，工作电压：4.5V~18V，下降时间(tf)：7ns，工作温度：-40℃~+125℃
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.7V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.25V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 16V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 12.6V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 12.6V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.3V ~ 6.8V
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，通用，螺线管，步进电机，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，通用，螺线管，步进电机，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：3，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 16V
驱动配置：低边，负载类型：MOSFET；IGBT，工作电压：4.5V~24V，上升时间(tr)：8ns
负载类型：MOSFET，工作电压：4.4V~13.2V，下降时间(tf)：12ns，工作温度：-40℃~+85℃
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
开关类型：负载开关，输出数：1，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：高端，输出类型：N 通道
Digi-Key 停止提供
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 16V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：1.8V ~ 5.5V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：硬件
负载类型：MOSFET，灌电流(IOL)：2A，拉电流(IOH)：2A，工作电压：4.5V~8V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：2 个 N 通道（半桥），漏源电压（Vdss）：60V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 28V