咨询/建议
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 12.6V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
最后售卖
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 36V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
停产
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，稳压器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.25V ~ 15V
驱动配置：浮动，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 50V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 6.5V
电压 - 供电：3.8V ~ 5.5V，4.5V ~ 36V，等级：汽车级，资质：AEC-Q100，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：64-TQFP 裸露焊盘
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
输出配置：半桥，应用：DC-DC 转换器，接口：逻辑，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
停产
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，稳压器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：300kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：84ns，92ns
驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 14V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 36V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 30V
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器，输出配置：半桥（3），接口：SPI，技术：NMOS
工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
技术：容性耦合，通道数：2，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：50µs， 150µs，上升/下降时间（典型值）：650µs，3ms（最大），工作温度：-40°C ~ 85°C
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，通用，螺线管，步进电机，接口：逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥（4），应用：直流电机，螺线管，步进电机，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：NMOS， 功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：7V ~ 20V
电机类型 - 步进：多相，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V